收藏本站
IRF7204
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T *
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
-
-
?
+
?
V GS
R G
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by Duty Factor "D"
? D.U.T. - Device Under Test
+
-
V DD
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
[ V GS =10V ] ***
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Body Diode Forward
Current
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
Re-Applied
dv/dt
[ V DD ]
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple ≤ 5%
Forward Drop
[ I SD ]
***
V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 13. For P-Channel HEXFETS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF7207TR MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
IRF720 MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
IRF7220 MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
IRF7233TR MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
IRF730ASTRRPBF MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
IRF7321D2TR MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
IRF7322D1TR MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
IRF7324D1TR MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
IRF7204PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7204TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7204TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7204TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -5.3A 60mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7205 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P LOGIC SO-8
IRF7205PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 70mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7205TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-Pin SOIC T/R
IRF7205TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube